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    首頁 > 技術(shù)中心 > 薄膜生長速率測試儀的特點(diǎn)有哪些？
    
          
    
			        
    
       	  
    薄膜生長速率測試儀的特點(diǎn)有哪些？
    
           
    
  　更新時(shí)間：2021-10-14　點(diǎn)擊量：1606
         
    
          
    
          
    薄膜生長速率測試儀采用無損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實(shí)時(shí)原位監(jiān)控。

    薄膜生長速率測試儀    的特點(diǎn)：

    1、實(shí)時(shí)薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)（n&k）分析，同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計(jì)分析

    2、自動(dòng)程序化校準(zhǔn)

    3、精密的實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng)

    4、程序控制，可實(shí)時(shí)多層薄膜沉積監(jiān)控和控制

    5、多Wafer監(jiān)控功能

    6、Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能

    7、所有參量原位實(shí)時(shí)檢測

    8、操作裝配簡單便捷

     
     
          
    
        
    


         
    
        
        
    
  
    

    

    





     
     

    




  
 

 
  




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